RTI International研究人员开发出一种平台技术，用于将多层硅集成到三维IC内。新技术基于高性能红外焦点平面阵列检测器，承诺大幅度增强传感器和执行器器件的片上信号处理能力，且纵横比高。RTI International的研究人员在国际电子器件大会上展示了他们的成果。
 
    这种高密度三维集成技术采用后端电路先行的方法，兼容标准体CMOS IC晶圆。用这种方法，硅IC层堆迭和垂直内连所采用的所有工艺都可在小于200摄氏度的低温下进行。单个器件层的邦定可任由裸片到裸片或裸片到晶圆配置来完成，从而保证仅有已知的完好无缺的裸片被加工。
 
    不同层的IC通过3D互连(蚀刻过的绝缘和金属化通孔)进行通信。该技术潜在应用包括高性能焦点平面检测器阵列。测试芯片显示，3-D 256 x 256阵列达到了97.5%的工作水平。这表明3D互连能传递光子来响应检测器像素，互操作性强，不引入额外噪音。

（源自：慧聪商务网 ）