| DRAM十月下旬合约价持续下跌 eTT现货价急涨12% |
上周(10/15-10/22)现货市场eTT颗粒呈现近几周少见的急涨局面，DDR2 512Mb eTT价格收在1.17美元，涨幅约11.9%；相比之下，品牌颗粒仍呈现平稳走势，上涨至1.37美元，幅度为1.4%。根据集邦科技(DRAMeXchange)分析指出，上周DDR2 eTT的强劲涨势，是因为eTT主要的供货商进行70nm转进，供给量减少，部分买主逢低买进拉抬买气，进而带动价格上扬，因此这波价格上扬主要是短期市场操作结果，而非市场终端需求带动；此外，这波投机性买盘主要集中在DDR2 eTT的颗粒，并没有带动品牌颗粒价格同步上涨。集邦科技预测，接下来几周DDR2 eTT的供给将会大量开出，届时DDR2 eTT也会再回探1美元。
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电感式接近传感器
电容式接近开关
磁性传感器
压力传感器
光电传感器
超声波传感器
拉绳开关
跑偏开关
打滑检测器
物料传感器
料流检测器
堵料开关